Отпечатване на страница
IRF5210PBF
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRF5210PBF
Код на поръчката1704021
Известен също катоSP001559642
Лист с технически данни
5 328 В наличност
Имате нужда от повече?
ЕКСПРЕСНА доставка до 1 – 2 работни дни
Поръчайте преди 17:00 ч.
БЕЗПЛАТНА стандартна доставка
при поръчки от € 0,00 и повече
Точните срокове за доставка ще бъдат изчислени при плащане
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 3,030 |
| 10+ | € 1,560 |
| 100+ | € 1,440 |
| 500+ | € 1,160 |
| 1000+ | € 1,060 |
| 5000+ | € 0,990 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 3,03 (без ДДС)
Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRF5210PBF
Код на поръчката1704021
Известен също катоSP001559642
Лист с технически данни
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
The IRF5210PBF is a P-channel HEXFET® Power MOSFET. This HEXFET® power MOSFET utilizes advance processing techniques to achieve extremely low 0n-resistance per silicon area.
- Advanced Process Technology
- New Ultra Low On-Resistance
- Fast Switching
- Dynamic dv/dt Rating
- Fully Avalanche Rated
Приложения
Audio, Industrial
Технически характеристики
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Технически документи (3)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Mexico
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Mexico
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.00204