Отпечатване на страница
IRF540NPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRF540NPBF
Код на поръчката8648298
Продуктова гамаHEXFET Series
Известен също катоSP001561906
Лист с технически данни
84 434 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 1,070 |
| 10+ | € 1,000 |
| 100+ | € 0,608 |
| 500+ | € 0,511 |
| 1000+ | € 0,476 |
| 5000+ | € 0,435 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 1,07 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRF540NPBF
Код на поръчката8648298
Продуктова гамаHEXFET Series
Известен също катоSP001561906
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source On State Resistance0.044ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation130W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
The IRF540NPBF is 100V single N channel HEXFET power MOSFET in 3 pin TO-220AB package. It utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit combined with fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs which are well known for the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is 100V
- Gate to source voltage is ±20V
- On-resistance Rds(on) of 44mohm at Vgs of 10V
- Power dissipation Pd of 130W at 25°C
- Continuous drain current Id of 33A at Vgs 10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Приложения
Power Management, Industrial, Portable Devices, Consumer Electronics
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
130W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.044ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Технически документи (3)
Алтернативи за IRF540NPBF
Открит е 1 продукт
Сродни продукти
3 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.002712