Отпечатване на страница
IRF6645TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRF6645TRPBF
Код на поръчката2725892
Продуктова гамаHEXFET Series
Известен също катоSP001562050
Лист с технически данни
9 660 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 1,090 |
| 10+ | € 0,841 |
| 100+ | € 0,678 |
| 500+ | € 0,516 |
| 1000+ | € 0,466 |
| 5000+ | € 0,431 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 1,09 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRF6645TRPBF
Код на поръчката2725892
Продуктова гамаHEXFET Series
Известен също катоSP001562050
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Transistor Case StyleDirectFET SJ
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.9V
Power Dissipation42W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
Single N-channel strongIRFET™ power MOSFET in a DirectFET™ SJ package suitable for use in power supplies and isolated DC-DC converters.
- Optimized for synchronous rectification
- Application specific MOSFET
- Product qualification according to JEDEC standard
- High-current rating
- Dual-side cooling capability
- High power density
- Optimum thermal performance
- Compact form factor
- High efficiency
- Environmentally friendly
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Transistor Case Style
DirectFET SJ
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.9V
No. of Pins
7Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Mexico
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Mexico
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000121
Проследяване на продуктите