Отпечатване на страница
IRFH7545TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 85 A, 0.0052 ohm, PQFN, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRFH7545TRPBF
Код на поръчката2709882RL
Продуктова гамаStrongIRFET, HEXFET
Известен също катоSP001554800
Лист с технически данни
2 419 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 0,770 |
| 500+ | € 0,652 |
| 1000+ | € 0,532 |
| 5000+ | € 0,477 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 1
€ 82,00 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRFH7545TRPBF
Код на поръчката2709882RL
Продуктова гамаStrongIRFET, HEXFET
Известен също катоSP001554800
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id85A
Drain Source On State Resistance0.0052ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeStrongIRFET, HEXFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET suitable for use in brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters and DC/AC inverters applications.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Product qualification according to JEDEC standard
- Softer body-diode compared to previous silicon generation
- Standard pinout allows for drop in replacement
- Industry standard qualification level
- High performance in low frequency applications
- Increased power density
- Provides designers flexibility in selecting the most optimal device for their application
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
85A
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0052ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
StrongIRFET, HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000143
Проследяване на продуктите