Отпечатване на страница
IRFP3077PBF
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Through Hole
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRFP3077PBF
Код на поръчката1602241
Известен също катоSP001566982
Лист с технически данни
На разположение за поръчка
Стандартно време за изпълнение на производителя: 20 седмица(и)
Свържете се с мен, когато продуктът е наличен отново.
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 5,470 |
| 10+ | € 5,380 |
| 100+ | € 3,500 |
| 500+ | € 2,340 |
| 1000+ | € 2,290 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 5,47 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRFP3077PBF
Код на поръчката1602241
Известен също катоSP001566982
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.0033ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation340W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Преглед на продукта
The IRFP3077PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Приложения
Power Management, Industrial
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
340W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.0033ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Технически документи (2)
Сродни продукти
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.005
Проследяване на продуктите