Имате нужда от повече?
Количество | |
---|---|
1+ | € 1,320 |
10+ | € 0,923 |
100+ | € 0,702 |
500+ | € 0,566 |
1000+ | € 0,520 |
5000+ | € 0,446 |
Информация за продукта
Преглед на продукта
The IRFR5410TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.
- Advanced process technology
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
Приложения
Automotive, Power Management
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
P Channel
13A
TO-252AA
10V
66W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
100V
0.205ohm
Surface Mount
4V
3Pins
-
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (3)
Алтернативи за IRFR5410TRPBF
2 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
RoHS
RoHS
Сертификат за съответствие на продукта