Отпечатване на страница
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRFS7730-7PPBF
Код на поръчката2580028
Продуктова гамаStrongIRFET, HEXFET
Известен също катоSP001552354
Лист с технически данни
Вече не се произвежда
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRFS7730-7PPBF
Код на поръчката2580028
Продуктова гамаStrongIRFET, HEXFET
Известен също катоSP001552354
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id269A
Drain Source On State Resistance0.0017ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation375W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET, HEXFET
Qualification-
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
269A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.0017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
7Pins
Product Range
StrongIRFET, HEXFET
Технически документи (1)
Сродни продукти
3 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Mexico
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Mexico
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:В очакване на инструкции
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.001
Проследяване на продуктите