Отпечатване на страница
IRFZ44NPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRFZ44NPBF
Код на поръчката8650225
Продуктова гамаHEXFET Series
Известен също катоSP001565354
Лист с технически данни
5 044 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 1,390 |
| 10+ | € 1,360 |
| 100+ | € 0,632 |
| 500+ | € 0,538 |
| 1000+ | € 0,463 |
| 5000+ | € 0,419 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 1,39 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRFZ44NPBF
Код на поръчката8650225
Продуктова гамаHEXFET Series
Известен също катоSP001565354
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id41A
Drain Source On State Resistance0.0175ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation94W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
The IRFZ44NPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Dynamic dv/dt rating
- Fully avalanche rated
- Advanced process technology
Приложения
Power Management
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
41A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
94W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.0175ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Технически документи (3)
Алтернативи за IRFZ44NPBF
Открит е 1 продукт
Сродни продукти
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.002
Проследяване на продуктите