Отпечатване на страница
IRLB8314PBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 171 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRLB8314PBF
Код на поръчката2617411
Продуктова гамаHEXFET Series
Известен също катоSP001572766
Лист с технически данни
3 995 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 1,310 |
| 10+ | € 0,613 |
| 100+ | € 0,567 |
| 500+ | € 0,487 |
| 1000+ | € 0,444 |
| 5000+ | € 0,361 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 1,31 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRLB8314PBF
Код на поръчката2617411
Продуктова гамаHEXFET Series
Известен също катоSP001572766
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id171A
Drain Source On State Resistance0.0024ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
IRLB8314PBF is a HEXFET® power MOSFET. Application includes optimized for UPS/inverter applications, low voltage power tools.
- Best in Class performance for UPS/Inverter applications
- Ultra-low gate impedance, fully characterized avalanche voltage and current
- Static drain-to-source on-resistance is 1.9mohm typ (VGS = 10V, ID = 68A, TJ = 25°C)
- Total gate charge is 40nC typ (VDS = 15V, VGS = 4.5V, ID = 68A, TJ = 25°C)
- Drain-to-source breakdown voltage is 30V min (VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Turn-on delay time is 19ns typ (VDD = 15V, TJ = 25°C)
- Turn-off delay time is 32ns typ (VDD = 15V, TJ = 25°C)
- Input capacitance is 5050pF typ (VGS = 0V, TJ = 25°C)
- Output capacitance is 890pF typ (VGS = 0V, TJ = 25°C)
- TO-220AB package, operating junction temperature range from -55 to + 175°C
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
171A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0024ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Технически документи (3)
Сродни продукти
7 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.005534