Отпечатване на страница
IRLB8721PBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 31 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRLB8721PBF
Код на поръчката1740783
Продуктова гамаHEXFET Series
Известен също катоSP001558140
Лист с технически данни
2 517 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
На разположение до изчерпване на количествата
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 1,450 |
| 10+ | € 1,010 |
| 100+ | € 0,580 |
| 500+ | € 0,499 |
| 1000+ | € 0,455 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 1,45 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRLB8721PBF
Код на поръчката1740783
Продуктова гамаHEXFET Series
Известен също катоSP001558140
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.0065ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation65W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Алтернативи за IRLB8721PBF
3 Намерени продукта
Преглед на продукта
The IRLB8721PBF is a 30V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high frequency synchronous buck, converters for computer processor power, optimized for UPS/inverter applications, high frequency isolated DC-DC converters with synchronous rectification for telecom and industrial use.
- Very low RDS (ON) at 4.5V VGS
- Ultra low gate impedance
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
Приложения
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Industrial
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
31A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0065ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.002