Имате нужда от повече?
Количество | |
---|---|
1+ | € 0,771 |
10+ | € 0,567 |
100+ | € 0,450 |
500+ | € 0,413 |
1000+ | € 0,385 |
5000+ | € 0,317 |
Информация за продукта
Преглед на продукта
The IRLR3410TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
- Logic level gate drive
- Advanced process technology
- Fully avalanche rating
- Dynamic dV/dt rating
Приложения
Power Management
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
N Channel
17A
TO-252AA
10V
79W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
100V
0.105ohm
Surface Mount
2V
3Pins
-
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (2)
Алтернативи за IRLR3410TRPBF
2 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
RoHS
RoHS
Сертификат за съответствие на продукта