Отпечатване на страница
IRLR3636TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-252AA, Surface Mount
22 575 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 1,010 |
| 500+ | € 0,779 |
| 1000+ | € 0,720 |
| 5000+ | € 0,719 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 1
€ 106,00 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRLR3636TRPBF
Код на поръчката2617412RL
Продуктова гамаHEXFET
Известен също катоSP001574002
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.0054ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation143W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
Single N-channel HEXFET® power MOSFET suitable for DC motor drive, high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits applications.
- Optimized for logic level drive
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
143W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0054ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (1)
Алтернативи за IRLR3636TRPBF
5 Намерени продукта
Сродни продукти
3 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000406
Проследяване на продуктите