Отпечатване на страница
ISG0613N04NM6HSCATMA1
Dual MOSFET, Dual N Channel, 40 V, 299 A, 880 µohm
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяISG0613N04NM6HSCATMA1
Код на поръчката4486608
Продуктова гамаOptiMOS 6 Series
Известен също катоISG0613N04NM6HSC, SP005575174
Лист с технически данни
3 000 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 5+ | € 4,590 |
| 50+ | € 3,200 |
| 100+ | € 2,440 |
| 500+ | € 2,100 |
| 1500+ | € 1,960 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 5
Множествен: 5
€ 22,95 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяISG0613N04NM6HSCATMA1
Код на поръчката4486608
Продуктова гамаOptiMOS 6 Series
Известен също катоISG0613N04NM6HSC, SP005575174
Лист с технически данни
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel299A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel880µohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleWHITFN-U01
No. of Pins10Pins
Power Dissipation N Channel167W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 6 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Технически характеристики
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
10Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
OptiMOS 6 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
299A
Drain Source On State Resistance N Channel
880µohm
Transistor Case Style
WHITFN-U01
Power Dissipation N Channel
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000017
Проследяване на продуктите