Отпечатване на страница
S29GL01GS11TFIV10
Flash Memory, Parallel NOR, 1 Gbit, 128M x 8bit, CFI, Parallel, TSOP, 56 Pins
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяS29GL01GS11TFIV10
Код на поръчката3261703
Продуктова гама3V Parallel NOR Flash Memories
Известен също катоSP005673807, S29GL01GS11TFIV10
Лист с технически данни
385 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 12,560 |
| 10+ | € 11,720 |
| 25+ | € 11,440 |
| 50+ | € 10,990 |
| 100+ | € 10,720 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 12,56 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяS29GL01GS11TFIV10
Код на поръчката3261703
Продуктова гама3V Parallel NOR Flash Memories
Известен също катоSP005673807, S29GL01GS11TFIV10
Лист с технически данни
Flash Memory TypeParallel NOR
Memory Density1Gbit
Memory Configuration128M x 8bit
InterfacesCFI, Parallel
IC Case / PackageTSOP
No. of Pins56Pins
Clock Frequency Max-
Access Time110ns
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
S29GL01GS11TFIV10 is a 128M x 8bit, 1Gbit, MIRRORBIT™ Eclipse parallel NOR flash product fabricated on 65nm process technology. Device is ideal for embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
- CMOS 3.0V core w/ versatile I/O, 110ns random access time, CFI parallel interfaces
- VIO = 1.65V to VCC, VCC = 2.7V to 3.6V, highest address sector protected
- Versatile I/O feature, wide I/O voltage range (VIO): 1.65V to VCC and ×16 data bus
- Asynchronous 32-byte page read and 512-byte programming buffer
- Single word and multiple program on same word options
- Automatic error checking and correction (ECC) – internal hardware ECC w/ single bit error correction
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- 100,000 program/erase cycles, 20yrs data retention, separate 1024byte OTP array w/ 2 lockable region
- 56 pin TSOP package and industrial temperature range from -40 to 85°C
Технически характеристики
Flash Memory Type
Parallel NOR
Memory Configuration
128M x 8bit
IC Case / Package
TSOP
Clock Frequency Max
-
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
3V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Memory Density
1Gbit
Interfaces
CFI, Parallel
No. of Pins
56Pins
Access Time
110ns
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Thailand
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Thailand
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.001361
Проследяване на продуктите