Отпечатване на страница
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителIXYS RF
Част № на производителяDE150-501N04A
Код на поръчката1347730
Лист с технически данни
Вече не се произвежда
Информация за продукта
ПроизводителIXYS RF
Част № на производителяDE150-501N04A
Код на поръчката1347730
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id4.5A
Power Dissipation200W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max100MHz
Transistor Case StyleDE-150
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Преглед на продукта
The DE150-501N04A is a N-channel enhancement mode RF Power MOSFET with isolated substrate for excellent thermal transfer and increased temperature and power cycling. Low gate charge and capacitances easier to drive and no beryllium oxide or other hazardous materials.
- Low Qg and Rg
- High dv/dt rating
- Nanosecond switching
Приложения
RF Communications
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
500V
Power Dissipation
200W
Operating Frequency Max
100MHz
No. of Pins
6Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
4.5A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
DE-150
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Технически документи (3)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.002