Отпечатване на страница
IXFH6N100F
RF FET Transistor, 1 kV, 6 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Вече не се произвежда
Информация за продукта
ПроизводителIXYS RF
Част № на производителяIXFH6N100F
Код на поръчката1347754
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id6A
Power Dissipation180W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max500kHz
Transistor Case StyleTO-247AD
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
1kV
Power Dissipation
180W
Operating Frequency Max
500kHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
6A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
TO-247AD
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Through Hole
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:В очакване на инструкции
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.006