Отпечатване на страница
IXZ2210N50L
RF FET Transistor, 500 V, 10 A, 360 W, 175 MHz, SMD
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Вече не се произвежда
Информация за продукта
ПроизводителIXYS RF
Част № на производителяIXZ2210N50L
Код на поръчката1347729
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id10A
Power Dissipation360W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max175MHz
Transistor Case StyleSMD
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
500V
Power Dissipation
360W
Operating Frequency Max
175MHz
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
10A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SMD
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:В очакване на инструкции
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.003