Отпечатване на страница
IXZH16N60
RF FET Transistor, 600 V, 18 A, 300 W, TO-247AD
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Вече не се произвежда
Информация за продукта
ПроизводителIXYS RF
Част № на производителяIXZH16N60
Код на поръчката1347750
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id18A
Power Dissipation300W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleTO-247AD
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
600V
Power Dissipation
300W
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
18A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
TO-247AD
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Mounting
Through Hole
Технически документи (1)
Сродни продукти
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:В очакване на инструкции
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.006