Отпечатване на страница
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Вече не се произвежда
Информация за продукта
ПроизводителIXYS RF
Част № на производителяIXZR08N120A
Код на поръчката1347745
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Continuous Drain Current Id8A
Power Dissipation250W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleISOPLUS-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Преглед на продукта
The IXZR08N120A is a N-channel RF Power MOSFET optimized for RF and high speed switching. The device offers isolated substrate, high isolation voltage (<gt/>2500V), excellent thermal transfer and increased temperature and power cycling capability.
- Easy to mount
- No insulators needed
- Low gate charge and capacitances
- Easier to drive
- Faster switching
- Low RDS (ON)
- Very low insertion inductance (<lt/>2nH)
Приложения
Industrial, RF Communications, Power Management
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Power Dissipation
250W
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
8A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
ISOPLUS-247
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Mounting
Through Hole
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.005