Отпечатване на страница
IXFL82N60P
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 54 A, 0.08 ohm, ISOPLUS-264, Through Hole
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителIXYS SEMICONDUCTOR
Част № на производителяIXFL82N60P
Код на поръчката1300086
Лист с технически данни
Вече не се поддържа на склад
Информация за продукта
ПроизводителIXYS SEMICONDUCTOR
Част № на производителяIXFL82N60P
Код на поръчката1300086
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id54A
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleISOPLUS-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation625W
No. of Pins-
Operating Temperature Max-
Product Range-
Qualification-
MSL-
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
54A
Transistor Case Style
ISOPLUS-264
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
625W
Operating Temperature Max
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
-
Product Range
-
MSL
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Germany
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Germany
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:В очакване на инструкции
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (12-Jan-2017)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.01