Отпечатване на страница
IXFN140N30P
MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителIXYS SEMICONDUCTOR
Част № на производителяIXFN140N30P
Код на поръчката1427320
Лист с технически данни
155 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 31,020 |
| 5+ | € 26,970 |
| 10+ | € 22,920 |
| 50+ | € 22,720 |
| 100+ | € 22,520 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 31,02 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителIXYS SEMICONDUCTOR
Част № на производителяIXFN140N30P
Код на поръчката1427320
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id140A
Drain Source Voltage Vds300V
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleISOTOP
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Transistor MountingModule
Power Dissipation700W
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins4Pins
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Преглед на продукта
The IXFN140N30P is a Polar™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers and high speed power switching applications.
- Avalanche rating
- Low Qg
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
Приложения
Power Management, Motor Drive & Control
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
300V
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
700W
No. of Pins
4Pins
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Continuous Drain Current Id
140A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Case Style
ISOTOP
Transistor Mounting
Module
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Germany
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Germany
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (17-Jan-2023)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.03
Проследяване на продуктите