Отпечатване на страница
IXFN24N100
MOSFET Transistor, N Channel, 24 A, 1 kV, 0.39 ohm, 10 V, 5.5 V
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителIXYS SEMICONDUCTOR
Част № на производителяIXFN24N100
Код на поръчката4905568
Лист с технически данни
215 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 47,590 |
| 5+ | € 41,930 |
| 10+ | € 36,220 |
| 50+ | € 34,810 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 47,59 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителIXYS SEMICONDUCTOR
Част № на производителяIXFN24N100
Код на поръчката4905568
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source Voltage Vds1kV
Drain Source On State Resistance0.39ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Преглед на продукта
The IXFN24N100 is a HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
- International standard package
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- UL94V-0 Flammability rating
- Low RDS (ON) HDMOS™ process
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Приложения
Power Management, Industrial, Motor Drive & Control
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
24A
Drain Source On State Resistance
0.39ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (17-Jan-2023)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.04
Проследяване на продуктите