Отпечатване на страница
IXFN210N20P
MOSFET Transistor, N Channel, 188 A, 200 V, 0.00105 ohm, 10 V, 4.5 V
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителLITTELFUSE
Част № на производителяIXFN210N20P
Код на поръчката3930242
Лист с технически данни
175 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 38,940 |
| 5+ | € 34,120 |
| 10+ | € 29,300 |
| 50+ | € 29,250 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 38,94 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителLITTELFUSE
Част № на производителяIXFN210N20P
Код на поръчката3930242
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id188A
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source On State Resistance0.00105ohm
On Resistance Rds(on)0.00105ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation1.07kW
Power Dissipation Pd1.07kW
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Преглед на продукта
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC and DC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Low RDS(ON) and QG
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
188A
Drain Source On State Resistance
0.00105ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.07kW
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.00105ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
1.07kW
Product Range
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:South Korea
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:South Korea
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):To Be Advised
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000001
Проследяване на продуктите