Отпечатване на страница
IXFN300N20X3
MOSFET Transistor, N Channel, 300 A, 200 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4.5 V
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителLITTELFUSE
Част № на производителяIXFN300N20X3
Код на поръчката3930137
Лист с технически данни
216 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
На разположение до изчерпване на количествата
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 40,480 |
| 5+ | € 38,460 |
| 10+ | € 35,690 |
| 50+ | € 31,320 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 40,48 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителLITTELFUSE
Част № на производителяIXFN300N20X3
Код на поръчката3930137
Лист с технически данни
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id300A
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source On State Resistance0.0035ohm
On Resistance Rds(on)0.0035ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation695W
Power Dissipation Pd695W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Преглед на продукта
N-channel enhancement mode avalanche rated X3-Class HiPerFET™ power MOSFET. It is suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor drives, PFC circuits, robotics and servo controls applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Технически характеристики
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
300A
Drain Source On State Resistance
0.0035ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
695W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.0035ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
695W
Product Range
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:South Korea
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:South Korea
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):To Be Advised
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.044497