Отпечатване на страница
IXFN38N100P
MOSFET Transistor, N Channel, 38 A, 1 kV, 0.21 ohm, 10 V, 6.5 V
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителLITTELFUSE
Част № на производителяIXFN38N100P
Код на поръчката3930411
Лист с технически данни
На разположение за поръчка
Стандартно време за изпълнение на производителя: 40 седмица(и)
Свържете се с мен, когато продуктът е наличен отново.
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 41,280 |
| 5+ | € 38,090 |
| 10+ | € 34,900 |
| 50+ | € 31,710 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 41,28 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителLITTELFUSE
Част № на производителяIXFN38N100P
Код на поръчката3930411
Лист с технически данни
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source Voltage Vds1kV
On Resistance Rds(on)0.21ohm
Drain Source On State Resistance0.21ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation Pd1kW
Power Dissipation1kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Преглед на продукта
N-channel enhancement mode fast intrinsic rectifier suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC motor control, high speed power switching application.
- Polar™ HiperFET™ power MOSFET
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Low package inductance
- Low RDS(on) and QG
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
Технически характеристики
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
38A
On Resistance Rds(on)
0.21ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1kW
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
0.21ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
Power Dissipation
1kW
Product Range
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:South Korea
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:South Korea
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):To Be Advised
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000001
Проследяване на продуктите