Отпечатване на страница
IXTN110N20L2
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 200 V, 0.024 ohm, 10 V, 4.5 V
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителLITTELFUSE
Част № на производителяIXTN110N20L2
Код на поръчката3930140
Лист с технически данни
285 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 38,870 |
| 5+ | € 34,980 |
| 10+ | € 29,060 |
| 50+ | € 28,480 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 38,87 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителLITTELFUSE
Част № на производителяIXTN110N20L2
Код на поръчката3930140
Лист с технически данни
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source On State Resistance0.024ohm
On Resistance Rds(on)0.024ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation735W
Power Dissipation Pd735W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Преглед на продукта
N-channel enhancement mode guaranteed FBSOA avalanche rated suitable for use in programmable loads, current regulators, DC-DC converters, battery chargers, DC choppers, temperature and lighting controls applications.
- Linear L2™ power MOSFET w/extended FBSOA
- Designed for linear operation
- Guaranteed FBSOA at 75°C
- Moulding epoxy meets UL94 V-0 flammability classification
- MiniBLOC with aluminium nitride isolation
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Технически характеристики
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
735W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.024ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
735W
Product Range
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:South Korea
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:South Korea
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):To Be Advised
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000001
Проследяване на продуктите