Отпечатване на страница
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pins
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителMICRON
Част № на производителяMT53E1G32D2FW-046 AAT:B
Код на поръчката3880972
Лист с технически данни
965 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 40,080 |
| 5+ | € 38,560 |
| 10+ | € 37,030 |
| 25+ | € 35,840 |
| 50+ | € 34,060 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 40,08 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителMICRON
Част № на производителяMT53E1G32D2FW-046 AAT:B
Код на поръчката3880972
Лист с технически данни
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density32Gbit
Memory Configuration1G x 32bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Преглед на продукта
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B is a x32 automotive mobile LPDDR4 SDRAM high-speed, CMOS dynamic random-access memory device.
- 1G x 32bit memory configuration, 4266Mb/s data rate/pin, 468ps tCK RL= 36/40 cycle time
- 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ/1.80V VDD1 operating voltage
- AEC-Q100 automotive grade
- Frequency range from 2133 to 10MHz, 2133MHz clock rate, 16n prefetch DDR architecture
- 8 internal banks per channel for concurrent operation, single-data-rate CMD/ADR entry
- Bidirectional/differential data strobe per byte lane, programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, Selectable output drive strength (DS)
- Partial-array self refresh (PASR), programmable VSS (ODT) termination, single-ended CK, DQS support
- Operating temperature range from -40 to +105°C, 200-ball TFBGA 10 x 14.5 x 1.1mm (Ø0.40 SMD) package
Технически характеристики
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
1G x 32bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Memory Density
32Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
105°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Taiwan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Taiwan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (17-Dec-2015)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000001