Отпечатване на страница
MT53E1G64D4HJ-046 WT:C
DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 1G x 64bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pins
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителMICRON
Част № на производителяMT53E1G64D4HJ-046 WT:C
Код на поръчката4050872
Лист с технически данни
560 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 53,640 |
| 5+ | € 51,320 |
| 10+ | € 49,040 |
| 25+ | € 46,690 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 53,64 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителMICRON
Част № на производителяMT53E1G64D4HJ-046 WT:C
Код на поръчката4050872
Лист с технически данни
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density64Gbit
Memory Configuration1G x 64bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins556Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-25°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Преглед на продукта
MT53E1G64D4HJ-046 WT:C is a 16Gb mobile low-powerDDR4 SDRAM with lowVDDQ. It is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This memory is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks. It has programmable VSS (ODT) termination and single-ended CK and DQS support. This memory has directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling.
- Operating voltage is 1.10V (VDD2) 0.60V or 1.10V (VDDQ)
- 1Gig x 64 configuration, LPDDR4, 4die addressing
- Packaging style is 556-ball TFBGA 12.4 x 12.4 x 1.1mm (Ø0.24 SMD)
- Cycle time is 468ps at RL = 36/40
- Operating temperature range is –25°C to +85°C, C design
- Clock rate is 2133MHz, data rate per pin is 4266Mb/s
- Ultra-low-voltage core and I/O power supplies
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), selectable output drive strength (DS)
Технически характеристики
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
1G x 64bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-25°C
Product Range
-
Memory Density
64Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
556Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Taiwan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Taiwan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (17-Dec-2015)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000001