Отпечатване на страница
MT53E256M32D2DS-046 AIT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pins
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителMICRON
Част № на производителяMT53E256M32D2DS-046 AIT:B
Код на поръчката3530741
Лист с технически данни
2 538 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
На разположение до изчерпване на количествата
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 16,170 |
| 10+ | € 14,990 |
| 25+ | € 14,280 |
| 50+ | € 12,810 |
| 100+ | € 12,630 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 16,17 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителMICRON
Част № на производителяMT53E256M32D2DS-046 AIT:B
Код на поръчката3530741
Лист с технически данни
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density8Gbit
Memory Configuration256M x 32bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageWFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max95°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Преглед на продукта
- Automotive LPDDR4/LPDDR4X SDRAM
- 256 Meg x 32 configuration, LPDDR4, 2 die addressing
- 468ps, tCK RL = 36/40 cycle time
- Frequency range from 2133 to 10MHz (data rate range from 4266 to 20Mb/s/pin)
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- 200-ball WFBGA package, operating temperature range from -40°C to +95°C
Технически характеристики
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
256M x 32bit
IC Case / Package
WFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Memory Density
8Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
95°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Singapore
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Singapore
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (17-Dec-2015)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000907
Проследяване на продуктите