Отпечатване на страница
MT53E2G32D4DE-046 WT:C
DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pins
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителMICRON
Част № на производителяMT53E2G32D4DE-046 WT:C
Код на поръчката3935602
Лист с технически данни
1 081 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 59,720 |
| 5+ | € 56,730 |
| 10+ | € 52,370 |
| 25+ | € 48,140 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 59,72 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителMICRON
Част № на производителяMT53E2G32D4DE-046 WT:C
Код на поръчката3935602
Лист с технически данни
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density64Gbit
Memory Configuration2G x 32bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-25°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Преглед на продукта
MT53E2G32D4DE-046 WT:C is a LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM. The 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable and on-the-fly burst lengths (BL=16,32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- Up to 8.5GB/s per die x16 channel, on-chip temperature sensor to control self refresh rate
- Partial-array self refresh (PASR), selectable output drive strength (DS), clock-stop capability
- 8GB (64Gb) total density, 4266Mb/s data rate per pin
- 200-ball TFBGA package
- Operating temperature rating range from -25°C to +85°C
Технически характеристики
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
2G x 32bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-25°C
Product Range
-
Memory Density
64Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Taiwan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Taiwan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (17-Dec-2015)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.002049