Отпечатване на страница
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителMULTICOMP PRO
Част № на производителяMJ3001
Код на поръчката3473377
Лист с технически данни
255 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
Количество | |
---|---|
1+ | € 5,070 |
10+ | € 3,620 |
100+ | € 2,820 |
500+ | € 2,110 |
1000+ | € 1,580 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 5,07 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителMULTICOMP PRO
Част № на производителяMJ3001
Код на поръчката3473377
Лист с технически данни
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Power Dissipation Pd150W
DC Collector Current10A
RF Transistor CaseTO-3
No. of Pins2Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
The MJ13001 from Multicomp Pro are through hole, NPN power transistors in monolithic darlington configuration in TO-3 metal can package. This transistor is suitable for linear applications.
- Collector emitter voltage (Vce) of 80V
- Continuous collector current (Ic) of 10A
- Power dissipation of 150W
- Operating junction temperature range from -65°C to 200°C
- Collector emitter saturation voltage of 4V at Ic=10A
- DC current gain of 1000 at Ic=5A
- Multicomp Pro products are rated 4.6 out of 5 stars
- 12 month limited warranty *view Terms & Conditions for details
- 96% of customers would recommend to a friend
Приложения
Signal Processing, Power Management, Portable Devices, Consumer Electronics, Industrial
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
150W
RF Transistor Case
TO-3
DC Current Gain hFE
1000hFE
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
DC Collector Current
10A
No. of Pins
2Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:India
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:India
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.054431