Отпечатване на страница
BC847BPN,115
Bipolar Transistor Array, General Purpose, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителNEXPERIA
Част № на производителяBC847BPN,115
Код на поръчката1081233
Лист с технически данни
37 969 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 5+ | € 0,208 |
| 50+ | € 0,152 |
| 100+ | € 0,0725 |
| 500+ | € 0,0561 |
| 1500+ | € 0,0397 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 5
Множествен: 5
€ 1,04 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителNEXPERIA
Част № на производителяBC847BPN,115
Код на поръчката1081233
Лист с технически данни
Transistor PolarityNPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN45V
Collector Emitter Voltage Max PNP45V
Continuous Collector Current NPN100mA
Continuous Collector Current PNP100mA
Power Dissipation NPN200mW
Power Dissipation PNP200mW
DC Current Gain hFE Min NPN200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP200hFE
Transistor Case StyleSC-88
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN100MHz
Transition Frequency PNP100MHz
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
The BC847BPN from NXP is a surface mount NPN/PNP general purpose transistor in SOT-363 (SC-88) package. This transistor is characterized with low collector capacitance, low collector to emitter saturation voltage and closely matched current gain. It reduces number of components, reduces board space and there is no mutual interference between transistors. BC847BPN suitable for general purpose switching and amplification.
- Collector to emitter voltage is 45V
- Collector current (Ic) is 100mA
- Current gain of 200 at VCE 5V
- Power dissipation (Pd) is 250mW per transistor
- Ambient temperature range from -65°C to 150°C
- Collector emitter saturation voltage of 300mV at 100mA collector current
- Transition frequency of 100MHz
Технически характеристики
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
45V
Continuous Collector Current PNP
100mA
Power Dissipation PNP
200mW
DC Current Gain hFE Min PNP
200hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
100MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
45V
Continuous Collector Current NPN
100mA
Power Dissipation NPN
200mW
DC Current Gain hFE Min NPN
200hFE
Transistor Case Style
SC-88
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
100MHz
Product Range
-
MSL
-
Технически документи (3)
Алтернативи за BC847BPN,115
2 Намерени продукта
Сродни продукти
2 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Niger
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Niger
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000006