Отпечатване на страница
BCM856BS,115
Bipolar Transistor Array, Dual PNP, 65 V, 100 mA
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителNEXPERIA
Част № на производителяBCM856BS,115
Код на поръчката1829187
Лист с технически данни
1 419 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 5+ | € 0,467 |
| 50+ | € 0,288 |
| 100+ | € 0,183 |
| 500+ | € 0,137 |
| 1500+ | € 0,118 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 5
Множествен: 5
€ 2,34 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителNEXPERIA
Част № на производителяBCM856BS,115
Код на поръчката1829187
Лист с технически данни
Transistor PolarityDual PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max PNP65V
Continuous Collector Current NPN-
Continuous Collector Current PNP100mA
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP300mW
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min PNP290hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP175MHz
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
The BCM856BS is a dual PNP matched double Bipolar Transistor Array in a small surface-mount plastic package. The transistor is fully isolated internally and suitable for current mirror and differential amplifier.
- Current gain matching
- Base-emitter voltage matching
- Drop-in replacement for standard double transistors
Приложения
Automotive, Power Management, Industrial
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Transistor Polarity
Dual PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
65V
Continuous Collector Current PNP
100mA
Power Dissipation PNP
300mW
DC Current Gain hFE Min PNP
290hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
175MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Continuous Collector Current NPN
-
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
-
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (2)
Сродни продукти
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000005
Проследяване на продуктите