Отпечатване на страница
PMXB40UNEZ
Power MOSFET, N Channel, 12 V, 3.2 A, 0.034 ohm, DFN1010D, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителNEXPERIA
Част № на производителяPMXB40UNEZ
Код на поръчката2498585RL
Лист с технически данни
15 086 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 50+ | € 0,242 |
| 250+ | € 0,172 |
| 1000+ | € 0,101 |
| 3000+ | € 0,0958 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 5
€ 29,20 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителNEXPERIA
Част № на производителяPMXB40UNEZ
Код на поръчката2498585RL
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id3.2A
Drain Source On State Resistance0.034ohm
Transistor Case StyleDFN1010D
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max650mV
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Преглед на продукта
The PMXB40UNE is a N-channel enhancement-mode FET in a leadless ultra-small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in high-side load switch and charging switch for portable devices, power management in battery driven portables, LED driver and DC-to-DC converter applications.
- Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package
- Exposed drain pad for excellent thermal conduction
- 1.5kV ESD protection HBM
- 34mΩ Very low Drain-Source ON-state resistance RDS (ON)
- Very low threshold voltage of 0.65V for portable applications
- -55 to 150°C Junction temperature range
Приложения
Power Management, Portable Devices, LED Lighting, Industrial
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.2A
Transistor Case Style
DFN1010D
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
650mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000006
Проследяване на продуктите