Отпечатване на страница
PSMN1R0-40SSHJ
Power MOSFET, NextPowerS3, N Channel, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителNEXPERIA
Част № на производителяPSMN1R0-40SSHJ
Код на поръчката3132384RL
Лист с технически данни
989 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 2,060 |
| 500+ | € 1,910 |
| 1000+ | € 1,770 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 1
€ 211,00 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителNEXPERIA
Част № на производителяPSMN1R0-40SSHJ
Код на поръчката3132384RL
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id325A
Drain Source On State Resistance880µohm
On Resistance Rds(on)880µohm
Transistor Case StyleLFPAK88
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation375W
Power Dissipation Pd375W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
Преглед на продукта
Приложения
Medical
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
880µohm
Transistor Case Style
LFPAK88
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
325A
On Resistance Rds(on)
880µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.001396
Проследяване на продуктите