Отпечатване на страница
PSMN2R6-40YS,115
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.0028 ohm, SOT-669, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителNEXPERIA
Част № на производителяPSMN2R6-40YS,115
Код на поръчката1785636
Лист с технически данни
1 091 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 1,260 |
| 10+ | € 1,020 |
| 100+ | € 0,841 |
| 500+ | € 0,757 |
| 1000+ | € 0,737 |
| 5000+ | € 0,716 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 1,26 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителNEXPERIA
Част № на производителяPSMN2R6-40YS,115
Код на поръчката1785636
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0028ohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation131W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Преглед на продукта
The PSMN2R6-40YS is a N-channel standard level MOSFET with advanced TrenchMOS technology provides low RDS (ON) and low gate charge. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC convertor, lithium-ion battery protection, load switching, server power supplies and domestic equipment applications.
- Improved mechanical and thermal characteristics
- High efficiency gains in switching power converters
- LFPAK provides maximum power density in a power SO8 package
- -55 to 175°C Junction temperature range
Приложения
Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Industrial
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
131W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (2)
Алтернативи за PSMN2R6-40YS,115
8 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Y-Ex
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000173
Проследяване на продуктите