Отпечатване на страница
PSMN4R8-100BSEJ
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0041 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителNEXPERIA
Част № на производителяPSMN4R8-100BSEJ
Код на поръчката2281226
Лист с технически данни
20 128 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 3,470 |
| 10+ | € 2,480 |
| 100+ | € 2,060 |
| 500+ | € 1,760 |
| 1000+ | € 1,730 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 3,47 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителNEXPERIA
Част № на производителяPSMN4R8-100BSEJ
Код на поръчката2281226
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.0041ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation405W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
The PSMN4R8-100BSE is a N-channel standard level MOSFET offers very low RDS (ON) for low conduction losses. The device complements the latest hot-swap controllers - robust enough to withstand substantial inrush currents during turn ON, whilst offering a low RDS (ON) characteristic to keep temperatures down and efficiency up in continued use. Ideal for telecommunication systems based on a 48V backplane/supply rail.
- Enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation
- -55 to 175°C Junction temperature range
Приложения
Power Management, Communications & Networking, Industrial
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
405W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0041ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (1)
Алтернативи за PSMN4R8-100BSEJ
8 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Y-Ex
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.031751
Проследяване на продуктите