Отпечатване на страница
BF545C,215
RF FET Transistor, 30 V, 13 mA, 250 mW, TO-236AB (SOT-23)
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Информация за продукта
ПроизводителNXP
Част № на производителяBF545C,215
Код на поръчката1758055RL
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id13mA
Power Dissipation250mW
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleTO-236AB (SOT-23)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Преглед на продукта
The BF545C,215 is a N-channel Silicon JFET housed in surface-mount plastic package. It offers low leakage level, high gain and low cut-off voltage. It is designed for use with impedance converters in electrets microphones and infra-red detectors and VHF amplifiers in oscillators and mixers applications.
Приложения
Industrial, Power Management
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
30V
Power Dissipation
250mW
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
13mA
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
TO-236AB (SOT-23)
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000006