Отпечатване на страница
BF991,215
RF FET Transistor, 20 V, 20 mA, 200 mW, SOT-143
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Информация за продукта
ПроизводителNXP
Част № на производителяBF991,215
Код на поръчката1349658
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id20mA
Power Dissipation200mW
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleSOT-143
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Преглед на продукта
The BF991 is a 20V N-channel depletion mode Dual Gate MOSFET protected against excessive input voltage surges by integrated back to back diodes between gate and source. Used in VHF television tuners and FM tuners applications.
- Interconnected source and substrate
- 150°C Junction temperature
Приложения
Communications & Networking, RF Communications, Consumer Electronics
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
20V
Power Dissipation
200mW
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
20mA
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SOT-143
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Технически документи (1)
Сродни продукти
2 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Hong Kong
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Hong Kong
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000181
Проследяване на продуктите