Отпечатване на страница
BFG31,115
Bipolar - RF Transistor, PNP, -18 V, 5 GHz, 1 W, -100 mA, SOT-223
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Информация за продукта
ПроизводителNXP
Част № на производителяBFG31,115
Код на поръчката2776276
Лист с технически данни
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max-18V
Transition Frequency5GHz
Power Dissipation1W
Continuous Collector Current-100mA
Transistor Case StyleSOT-223
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE Min25hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Технически характеристики
Transistor Polarity
PNP
Transition Frequency
5GHz
Continuous Collector Current
-100mA
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
-18V
Power Dissipation
1W
Transistor Case Style
SOT-223
DC Current Gain hFE Min
25hFE
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0003