Отпечатване на страница
BLF578
RF FET Transistor, 110 V, 88 A, 225 MHz, SOT-539A
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Вече не се произвежда
Информация за продукта
ПроизводителNXP
Част № на производителяBLF578
Код на поръчката1851687
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds110V
Continuous Drain Current Id88A
Power Dissipation-
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max225MHz
Transistor Case StyleSOT-539A
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
Преглед на продукта
The BLF578 is a 1200W LDMOS Power Transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 500MHz band.
- Easy Power Control
- ESD Protection Upto 1.5kV
- Excellent Ruggedness
- High Efficiency
- Excellent Thermal Stability
Приложения
Industrial, Medical, Signal Processing, Communications & Networking
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
110V
Power Dissipation
-
Operating Frequency Max
225MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
88A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SOT-539A
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.021339