Отпечатване на страница
BLS6G3135-120
RF FET Transistor, 60 V, 7.2 A, 120 W, 2.7 GHz, 3.1 GHz, SOT-502A
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Вече не се поддържа на склад
Информация за продукта
ПроизводителNXP
Част № на производителяBLS6G3135-120
Код на поръчката1851702
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id7.2A
Power Dissipation120W
Operating Frequency Min2.7GHz
Operating Frequency Max3.1GHz
Transistor Case StyleSOT-502A
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
60V
Power Dissipation
120W
Operating Frequency Max
3.1GHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
7.2A
Operating Frequency Min
2.7GHz
Transistor Case Style
SOT-502A
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
Технически документи (2)
Сродни продукти
4 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.012533