Отпечатване на страница
MHT1008NT1
RF FET Transistor, 65 V, 48.1 W, 2.4 GHz, 2.5 GHz, PLD-1.5W
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Информация за продукта
ПроизводителNXP
Част № на производителяMHT1008NT1
Код на поръчката3370099
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation48.1W
Operating Frequency Min2.4GHz
Operating Frequency Max2.5GHz
Transistor Case StylePLD-1.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Преглед на продукта
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
48.1W
Operating Frequency Max
2.5GHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
2.4GHz
Transistor Case Style
PLD-1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
Технически документи (3)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (27-Jun-2018)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.036
Проследяване на продуктите