Отпечатване на страница
MRF6V2300NBR1
RF FET Transistor, 100 V, 150 mA, 300 W, 10 MHz, 600 MHz, TO-272
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Вече не се поддържа на склад
Информация за продукта
ПроизводителNXP
Част № на производителяMRF6V2300NBR1
Код на поръчката1839849
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id150mA
Power Dissipation300W
Operating Frequency Min10MHz
Operating Frequency Max600MHz
Transistor Case StyleTO-272
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
100V
Power Dissipation
300W
Operating Frequency Max
600MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
150mA
Operating Frequency Min
10MHz
Transistor Case Style
TO-272
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Flange
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.00028