Отпечатване на страница
MRFE6VS25GNR1
RF FET Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Информация за продукта
ПроизводителNXP
Част № на производителяMRFE6VS25GNR1
Код на поръчката2776259RL
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds133VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation-
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max2000MHz
Transistor Case StyleTO-270
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Преглед на продукта
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
133VDC
Power Dissipation
-
Operating Frequency Max
2000MHz
No. of Pins
2Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
TO-270
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
MSL 3 - 168 hours
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (27-Jun-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0003