Отпечатване на страница
MRFE6VS25NR1
RF FET Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Информация за продукта
ПроизводителNXP
Част № на производителяMRFE6VS25NR1
Код на поръчката2776252
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds133VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation-
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max2000MHz
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max225°C
Product Range-
Преглед на продукта
The MRFE6VS25NR1 is a N-channel RF Power LDMOS Transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000MHz. It is fabricated using enhanced ruggedness platform and is suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.
- High ruggedness
- Enhancement-mode lateral MOSFET
- Wide operating frequency range
- Extreme ruggedness
- Unmatched, capable of very broadband operation
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance
- Extended ESD protection circuit
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
133VDC
Power Dissipation
-
Operating Frequency Max
2000MHz
Operating Temperature Max
225°C
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
Технически документи (3)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0003