Отпечатване на страница
MRFG35002N6AT1
RF FET Transistor, 8 V, 1.7 A, 1.5 W, 500 MHz, 5 GHz, PLD-1.5
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Вече не се поддържа на склад
Информация за продукта
ПроизводителNXP
Част № на производителяMRFG35002N6AT1
Код на поръчката1577896
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id1.7A
Power Dissipation1.5W
Operating Frequency Min500MHz
Operating Frequency Max5GHz
Transistor Case StylePLD-1.5
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max85°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
8V
Power Dissipation
1.5W
Operating Frequency Max
5GHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
1.7A
Operating Frequency Min
500MHz
Transistor Case Style
PLD-1.5
Operating Temperature Max
85°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.00028