Отпечатване на страница
MRFX1K80HR5
RF FET Transistor, 193 V, 2.247 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-1230H-4S
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Вече не се поддържа на склад
Информация за продукта
ПроизводителNXP
Част № на производителяMRFX1K80HR5
Код на поръчката2784044
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds193V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation2.247kW
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max400MHz
Transistor Case StyleNI-1230H-4S
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
193V
Power Dissipation
2.247kW
Operating Frequency Max
400MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
NI-1230H-4S
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Flange
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (27-Jun-2018)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.013158
Проследяване на продуктите