Отпечатване на страница
PMBFJ111,215
RF FET Transistor, 40 V, 20 mA, 300 mW, SOT-23
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Вече не се поддържа на склад
Информация за продукта
ПроизводителNXP
Част № на производителяPMBFJ111,215
Код на поръчката2319256
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id20mA
Power Dissipation300mW
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Алтернативи за PMBFJ111,215
6 Намерени продукта
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
40V
Power Dissipation
300mW
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
20mA
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.002