Отпечатване на страница
PMBFJ309,215
RF FET Transistor, 25 V, 30 mA, 250 mW, TO-236AB (SOT-23)
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Информация за продукта
ПроизводителNXP
Част № на производителяPMBFJ309,215
Код на поръчката2776236RL
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id30mA
Power Dissipation250mW
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleTO-236AB (SOT-23)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
25V
Power Dissipation
250mW
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
30mA
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
TO-236AB (SOT-23)
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (27-Jun-2018)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000073
Проследяване на продуктите